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平板狀氧化鋁
【應用領(lǐng)域】金屬材料拋光,如鋁合金,不銹鋼等;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?光學(xué)材料拋光,如藍寶石、玻璃、眼鏡片等;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?半導體材料拋光,如硅,鍺、砷等;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?砂紙用砂。
【產(chǎn)品特色】純度高,達99%以上;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?形狀為片狀,增大了摩擦力,導致磨削力強;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 平板狀不易產(chǎn)生劃痕,可提高加工良率;
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 相對于其它氧化鋁粉,用量少,性?xún)r(jià)比高。
【粒度規格】
型號規格 | 粒度分布(μm) | |||
D0 | D3 | D50 | D94 | |
TWA50 | <95.0 | 63.0±3.5 | 42.5±2.5 | 26.0±2.0 |
TWA 45 | <87.5 | 57.0±3.2 | 36.0±2.3 | 23.5±1.8 |
TWA 40 | <80.4 | 45.0±2.8 | 31.0±2.0 | 20.5±1.5 |
TWA 35 | <64.0 | 37.6±2.2 | 25.5±1.7 | 17.0±1.5 |
TWA 30 | <50.8 | 31.2±2.1 | 21.5±1.5 | 15.5±1.3 |
TWA 25 | <40.3 | 26.3±1.9 | 17.4±1.3 | 11.4±1.1 |
TWA20 | <32.0 | 22.5±1.6 | 14.5±1.3 | 9.0±0.8 |
TWA 15 | <25.4 | 16.0±1.2 | 10.5±0.8 | 6.7±0.5 |
TWA 12 | <20.2 | 12.8±1.0 | 8.4±0.6 | 5.6±0.5 |
TWA 9 | <16.0 | 9.7±0.8 | 6.4±0.6 | 4.2±0.4 |
TWA 5 | <12.7 | 7.2±0.6 | 4.7±0.5 | 3.4±0.4 |
TWA 3 | <10.1 | 5.3±0.4 | 3.1±0.4 | 2.7±0.4 |
【物理指標】
外觀(guān) | 顆粒形狀 | 晶相 | 比重 | 熔點(diǎn) | 莫氏硬度 |
白色 | 平板狀 | α | 3.95 g/cm3 | 2020℃ | 9.0 |
【化學(xué)指標】
Al2O3 | SiO2 | Fe2O3 | Na2O |
>99.00 | <0.2 | <0.1 | <0.8 |
【包裝】標準包裝:20 kg /箱。也可根據客戶(hù)要求進(jìn)行包裝。
品名:r氧化鋁拋光粉, Alumina polishing powde.氧化鋁拋光粉采用高純氧化鋁作為原料, 在嚴格粒度分布控制下, *小粒度能夠達到0.3um。晶體呈平板狀、 粒度分布范圍窄、不易產(chǎn)生劃痕、磨削力強。用途:1) 單晶硅片的研磨、拋光。2) 水晶鏡片的研磨拋光。3) 手機外殼等鋁合金材料及不銹鋼材料的拋光。4) 不銹鋼餐具及其它裝飾材料的拋光。5) 等離子噴涂6)光學(xué)玻璃, 激光晶體, 光學(xué)晶體, 光學(xué)塑料, 半導體, 金屬合金, 陶瓷, 等。7) 塑膠拋光8)大理石拋光、石材拋光9)汽車(chē)漆面拋光10)石英晶體研磨拋光,晶振研磨拋光
無(wú)錫中晶平板狀氧化鋁拋光粉和拋光液使用說(shuō)明書(shū)無(wú)錫中晶材料科技有限公司,氧化鋁拋光液是以微米或納米級氧化鋁為磨料,再配以濕潤劑、表面活性劑、分散穩定劑和調整劑生產(chǎn)的一種研磨拋光材料。適用于各種精密產(chǎn)品及金相切片、手機殼等研磨拋光。公司開(kāi)發(fā)和經(jīng)營(yíng)的研磨拋光材料系列均為優(yōu)選的磨料,先進(jìn)的制備工藝保證了高質(zhì)量的顆粒呈等積形狀;嚴格的分級工藝保證了實(shí)際尺寸與名義尺寸相一致的高比例顆粒,其粒度組成都高于國家標準的粒度范圍要求。所有這些研磨拋光材料,粒度、品種齊全,以滿(mǎn)足用戶(hù)各種要求。通過(guò)工藝、設備、流程控制,保證了高純納米氧化鋁拋光液具有以下優(yōu)越性能:1、晶相穩定、硬度高、顆粒小且分布均勻,懸浮穩定性好;2、磨削力強、拋光快、光度亮、鏡面效果好;3、研磨效率高,拋光效果好,研磨效率遠遠高于二氧化硅等軟質(zhì)磨料,表面光潔度優(yōu)于白剛玉的拋光效果,切削力強、出光快、能拋出均勻而明亮的興澤。4、適用范圍廣,拋光后容易清洗。 氧化鋁拋光液和研磨材料適用于金相、巖相、復合材料的高精度研磨及拋光等表面處理:1、手機殼,陶瓷,玻璃、水晶、光學(xué)玻璃等振動(dòng)拋光(機器拋光、滾動(dòng)拋光)、手動(dòng)拋光(研磨拋光)等。人造寶石、天然寶石、鋯石、玉石、翡翠、瑪瑙。2、單晶硅片等半導體、壓電晶學(xué)、光學(xué)晶體、光學(xué)玻璃、光學(xué)塑料、計算機硬盤(pán)、光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、3、鋁材、銅材、不銹鋼等金屬表面研磨拋光。4、汽車(chē)油漆打磨拋光,樹(shù)脂拋光等,油漆表面、亞克力、非鐵金屬的表面拋光。5、 劃痕去除:寶石、首飾、微晶玻璃、鋁板、鋼板、塑料殼、壓克力等劃傷劃痕;汽車(chē),船舶等表面油漆出現的輕微劃痕等只要涂上少許拋光液,用海綿布或者拋光墊等在其表面來(lái)回拋磨,很快就光亮如新,無(wú)一點(diǎn)擦痕。推薦配套使用:本公司金相拋光潤滑冷卻液,樣品的拋光效果則更加**。使用與用量:推薦用量為1~20%,使用者應根據不同體系經(jīng)過(guò)試驗決定*佳添加量?!?以防少許沉淀,建議使用前先搖勻?!?使用時(shí),以不同濃度并據不同行業(yè)的需要可用過(guò)濾清潔水加以稀釋?zhuān){制不同濃度。儲 存:本品需在0℃以上儲存,防止結塊,在0℃以下因產(chǎn)生不可再分散結塊而失效。包 裝:產(chǎn)品包裝有:200毫升/瓶和500毫升/瓶。1 L/瓶、5 L/桶、20 L/桶
這兩個(gè)概念主要出現在半導體加工過(guò)程中,*初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術(shù)——化學(xué)機械拋光技術(shù)(CMP Chemical Mechanical Polishing )取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢:?jiǎn)渭兊幕瘜W(xué)拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,**性好,但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深?;瘜W(xué)機械拋光可以獲得較為**的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個(gè)數量級,是目前能夠實(shí)現全局平面化的**有效方法。制作步驟依據機械加工原理、半導體材料工程學(xué)、物力化學(xué)多相反應多相催化理論、表面工程學(xué)、半導體化學(xué)基礎理論等,對硅單晶片化學(xué)機械拋光(CMP)機理、動(dòng)力學(xué)控制過(guò)程和影響因素研究標明,化學(xué)機械拋光是一個(gè)復雜的多相反應,它存在著(zhù)兩個(gè)動(dòng)力學(xué)過(guò)程:(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進(jìn)行氧化還原的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。這是化學(xué)反應的主體。(2)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過(guò)程使未反應的硅單晶重新裸露出來(lái)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程。它是控制拋光速率的另一個(gè)重要過(guò)程。硅片的化學(xué)機械拋光過(guò)程是以化學(xué)反應為主的機械拋光過(guò)程,要獲得質(zhì)量好的拋光片,必須使拋光過(guò)程中的化學(xué)腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學(xué)腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用,則表面產(chǎn)生高損傷層。
顆粒度均勻一致,在允許的范圍之內。純度高,不含有可能引起劃痕的雜質(zhì)。有良好的分散性,以保證加工過(guò)程的穩定和**?;瘜W(xué)穩定性好,不致腐蝕工件。粉體晶型機構穩定,耐磨性及流動(dòng)性好。粒度大的拋光粉,磨削力越大,越適合加工硬度高的材料,反之粒度小的拋光粉適合加工偏軟類(lèi)的材料。所以?huà)伖夥鄱加幸粋€(gè)粒度分布范圍,平均粒徑(中心粒徑D50)的大小只決定拋光速度的快慢,而**粒徑Dmax決定拋光精度的高低。因此要達到高精度的表面拋光要求,必須控制拋光粉的粒度分布比例和范圍。
定義:人造磨料的一種。三氧化二鋁(Al2O3)含量在99%以上,并含有少量氧化鐵、氧化硅等成分,呈白色。產(chǎn)品粒度按國際標準以及各國標準生產(chǎn),可按用戶(hù)要求粒度進(jìn)行加工。通用粒度號為 F4~F220,其化學(xué)成份視粒度大小而不同。突出的特點(diǎn)是晶體尺寸小耐沖擊,如果用自磨機 加工破碎,顆粒多為球狀顆粒,表面干潔,易于結合劑結合。